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电子元器件详细资料 » IC[27179] » SI6433BDQ-T1-GE3
型号:SI6433BDQ-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)描述:MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
系列-
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C40 毫欧 @ 4.8A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs15nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.05W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装8-TSSOP
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
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SI6433BDQ-T1-GE3相关型号

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